Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 167 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Name: Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 167 W, 8-Pin PG-HSOF-8
Brand: INFINEON
Price: 6.16 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPT60T065S7XTMA1

Produkt-Nr.: P-DRHT4P-DRW7HH

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 65mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.82V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 51nC
Gehäusegröße: PG-HSOF-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 8A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 167W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPT

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 65mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 51nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDEC for Industrial Applications
Automobilstandard = Nein

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