Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 119 W, 4-Pin PG-LHSOF-4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

180mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17nC

Gehäusegröße

PG-LHSOF-4

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

18A

Maximale Betriebstemperatur

150°C