Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 313 A 214 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

106nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

313A