Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 190 A 81 W, 8-Pin HSOF-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

HSOF-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

190A