Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 135 V / 297 A 395 W, 16-Pin PG-HSOF-16

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

135V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

159nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-16

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

297A

Maximale Betriebstemperatur

175°C