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Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 70 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPT60R037CM8XTMA1

Produkt-Nr.: P-DRHT4M-DRW7HF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
37mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
79nC
Gehäusegröße
PG-HSOF-8
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
70A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-Transistor
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 70A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 37mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 0.9V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDEC for Industrial Applications
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET