Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 212 A 294 W, 8-Pin PG-HSOG-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 135V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 104nC
- Gehäusegröße
- PG-HSOG-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 212A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 294W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Leistungs-Transistor
- Serie
- IPT
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-Transistor
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 212A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 135V
Gehäusegröße = PG-HSOG-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 104nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = J-STD-020, RoHS, IEC61249-2-21
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET