Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 212 A 294 W, 8-Pin PG-HSOG-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

135V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

104nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG-HSOG-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

212A