Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 174 A 300 W, 16-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.82V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

71nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

174A

Länge

10.1mm