Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 143 A 250 W, 8-Pin HSOG
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 55.4mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.83V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 58nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20 V
- Gehäusegröße
- HSOG
- Höhe
- 2.4mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 143A
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 143A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 150V
Gehäusegröße = HSOG
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 55.4mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 58nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Breite = 8.75 mmmm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET