Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 122 A 214 W, 8-Pin HSOG

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

6.3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.84V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

50nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

HSOG

Höhe

2.4mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

122A