Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 100 V / 365 A 375 W, 16-Pin HDSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.88V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

168nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

HDSOP

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

365A

Maximale Betriebstemperatur

175°C