Infineon IPQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 500 W, 22-Pin PG-HDSOP-22

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

17mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.82V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

196nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30A