Infineon IPP65R190CFD7A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 77 W, 3-Pin PG-TO220-3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 190mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 28nC
- Gehäusegröße
- PG-TO220-3
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 77W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPP65R190CFD7A
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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