Infineon IPP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.4mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 180nC
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 120A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 136W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPP
Produktbeschreibung
Der Infineon-P-Kanal-MOSFET mit Logikpegel hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es handelt sich um robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit. Es ist zu 100 Prozent lawinengeprüft.Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert Keine Ladungspumpe erforderlich für Antrieb auf Hochspannungsseite
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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