Infineon IPP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 62 A 300 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

33mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

-189nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-220

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

62A