Infineon IPP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 36.23 A 171 W, 3-Pin PG-TO220-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

700V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

60mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

68nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

36.23A