Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 193 A 188 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.86V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

106nC

Gehäusegröße

TO-220

Höhe

4.75mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

193A