Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6.5 A 6.7 W, 3-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 700V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 750mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 8.3nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 6.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 6.7W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPN
Produktbeschreibung
Der Infineon CoolMOS TM P7 Superjunction (SJ) MOSFET wurde entwickelt, um typische Herausforderungen auf dem SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme zu bewältigen, indem er eine ausgezeichnete Leistung und Benutzerfreundlichkeit bietet, die verbesserte Formfaktoren und eine verbesserte Preiswettbewerbsfähigkeit ermöglicht. Das SOT-223-Gehäuse ist eine kostengünstige Eins-zu-Eins-Drop-In-Alternative zu DPAK, die auch bei einigen Designs eine Reduzierung des Platzbedarfs ermöglicht. Er kann auf einer typischen DPAK-Abmessung platziert werden und weist eine vergleichbare thermische Leistung auf. Diese Kombination macht CoolMOS TM P7 in SOT-223 perfekt für seine Zielanwendungen.Optimale Leistung bei der Supjunction-Technologie Kostengünstige Paketlösung Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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