Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 6.2 W, 3-Pin SOT-223

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

700V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.4Ω

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.7nC

Gehäusegröße

SOT-223

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4A

Maximale Betriebstemperatur

150°C