Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 6.2 W, 3-Pin SOT-223

Name: Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 6.2 W, 3-Pin SOT-223
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPN70R450P7SATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFVN4-DRRK6R

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -40°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 700V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 450mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 13.1nC
Gehäusegröße: SOT-223
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 10A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 6.2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPN

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 10A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 700V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 450mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 13.1nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.7mm
Automobilstandard = Nein