Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 3.6 A 6 W, 3-Pin PG-SOT223

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.5Ω

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.6nC

Gehäusegröße

PG-SOT223

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3.6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C