Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 3 A 81 W, 3-Pin SOT-223

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gehäusegröße

SOT-223

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

81W