Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 169 W, 5-Pin ThinPAK

Name: Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 169 W, 5-Pin ThinPAK
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPL65R070C7AUMA1

Produkt-Nr.: P-DRCN2V-DRSX5V

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -40°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 70mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 64nC
Gehäusegröße: ThinPAK
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 28A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 169W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 5
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPL60R

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 28A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = ThinPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 70mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 64nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 8.1mm
Automobilstandard = Nein