Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 75 W, 5-Pin ThinPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

195mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

23nC

Gehäusegröße

ThinPAK

Höhe

1.1mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12A