Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 189 W, 5-Pin ThinPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 75mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 67nC
- Gehäusegröße
- ThinPAK
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 33A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 189W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPL60R
Produktbeschreibung
Der Infineon 600V CoolMOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS7-Serie kompletzt. CoolMOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.Ultraschnelle Gehäusediode Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr) Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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