Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 17 A 103 W, 5-Pin ThinPAK

Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on) Erhöhte Schaltfrequenz Bestes R (on)*A der Welt Robuste Gehäusediode