Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 107 A 81 W, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

Name: Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 107 A 81 W, 5-Pin ThinPAK 8 x 8
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPL65R200CFD7AUMA1

Produkt-Nr.: P-DRGPGX-DR2LGP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -40°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 700V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 95mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 80nC
Gehäusegröße: ThinPAK 8 x 8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 107A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 81W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 5
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPL

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 107A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 700V
Serie = IPL
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 95mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 80nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHSmm
Automobilstandard = AEC-Q101