Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 27 A 111 W, 5-Pin ThinPAK

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) aufgrund einer Hervorragende Kommutierungsbeständigkeit Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten Ausgezeichnete ESD-Robustheit > von 2 kV (HBM) für alle Produkte Bessere RDS(on)/Paketprodukte im Vergleich zu Konkurrenzprodukten, die durch ein ermöglicht werden  Niedriger RDS(on) * A (unter 1 Ohm * mmmmmmmm2) Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen