Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.5 A 43 W, 5-Pin ThinPAK 5x6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gehäusegröße

ThinPAK 5x6

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.5A

Länge

6.42mm

Maximale Betriebstemperatur

150°C