Infineon IPG20N06S4L-14A Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V Erweiterung / 20 A 50 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13.7mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 39nC
- Gehäusegröße
- SuperSO8 5 x 6
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 20A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 50W
- Normen/Zulassungen
- RoHS Compliant
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPG20N06S4L-14A
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 20A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 13.7mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 39nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS Compliant
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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