Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 138 A 300 W, 7-Pin PG-TO263-7
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 6.7mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 72nC
- Gehäusegröße
- PG-TO263-7
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 138A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 300W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- Leistungs-Transistor
- Serie
- IPF
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-Transistor
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 138A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 200V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 6.7mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 72nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET