Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 138 A 300 W, 7-Pin PG-TO263-7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

6.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

72nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

138A