Infineon IPDQ60R010S7A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 10mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.82V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 318nC
- Gehäusegröße
- HDSOP
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 50A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 694W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 22
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPDQ60R010S7A
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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