Infineon IPDQ60R010S7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP

Name: Infineon IPDQ60R010S7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPDQ60R010S7XTMA1

Produkt-Nr.: P-DP84GC-DR4BRH

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: N
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 10mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.82V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 318nC
Gehäusegröße: HDSOP
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 50A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 694W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 22
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPDQ60R010S7

Produktbeschreibung

Der Infineon IPDQ60R010S7 ist der N-Kanal-Leistungs-MOSFET und ermöglicht die beste Leistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der MOSFET ist für statische Schaltanwendungen und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais- und Schutzschalterausführungen sowie für die Liner Rektifikation in SMPS- und Wechselrichtertopologien.Minimiert Leitungsverluste Erhöht die Energieeffizienz Kompaktere und einfachere Designs Beseitigt oder reduziert Kühlkörper in Halbleiterbauweise

Bestes Angebot

14,32 €

17,04 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Nicht vorrätig

Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 750Mengenintervall: 750

Weitere Angebote anzeigen (1)

Sichere Zahlung