Infineon IPDQ60R010S7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

10mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.82V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

318nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

HDSOP

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

50A