Infineon IPDQ60R010S7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 50 A, 22-Pin QDPAK

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,01 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

22

Serie

IPDQ60R010S7