Infineon IPD600N25N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 5-Pin TO-252

Name: Infineon IPD600N25N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 5-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD600N25N3GATMA1

Produkt-Nr.: P-DP7BNC-DRWPT8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 250V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 60mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 22nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 25A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 136W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 5
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPD600N25N3 G

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 25A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 250V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 60mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 22nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.73mm
Automobilstandard = Nein