Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 219 W, 5-Pin ThinPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

60mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

79nC

Gehäusegröße

ThinPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

40A

Maximale Betriebstemperatur

150°C