Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 180 W, 5-Pin ThinPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

65mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

68nC

Gehäusegröße

ThinPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

29A

Maximale Betriebstemperatur

150°C