Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 76 W, 10-Pin TO-252

Die Infineon Technologien führen das Double DPAK (DDPAK) ein, das erste SMD-Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite, das sich für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation eignet. Die Vorteile des bereits vorhandenen 600-V-CoolMOS-G7-Superjunction-(SJ)-MOSFET mit dem innovativen Konzept der Kühlung auf der Oberseite sind eine Systemlösung für Starkstrom-Hartschaltsopologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.Ermöglicht höchste Energieeffizienz Die thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte Übertrifft die höchsten Qualitätsstandards