Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

180mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

24nC

Gehäusegröße

TO-252

Höhe

2.41mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

13A

Länge

6.73mm