Infineon IPD25CN10N G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 71 W, 5-Pin TO-252

Infineon MOSFETDer Infineon TO-252-3 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 25 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 300 A. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 71 W. Der MOSFET hat eine Antriebsspannung von 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.Eigenschaften und Vorteile• Einfach zu designende Produkte • Umweltfreundlich • Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS-Produkt (ein) (FOM) • Ausgezeichnete Schaltleistung • Halogenfrei • Höchste Leistungsdichte • Erhöhte Effizienz • Weniger Parallelschaltung erforderlich • Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C. • kleinster Platzbedarf auf der Platine • Sehr niedriger Qg und Qgd • weltweit niedrigster RDS (ein)Anwendungen• Klasse-D-Audioverstärker • Isolierte DC/DC-Wandler (Telekommunikations- und Datenkommunikationssysteme • Motorsteuerung für 48-V-80-V-Systeme (Haushaltsfahrzeuge, Elektrowerkzeuge, Lastwagen) • O-Ring-Schalter und Überlastschalter in 48-V-Systemen • Synchroner GleichrichterZertifizierungen• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007 • IEC61249-2-21 • JEDEC