Infineon IPD200N15N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 5-Pin TO-252

Name: Infineon IPD200N15N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 5-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD200N15N3GATMA1

Produkt-Nr.: P-DP73J4-DRM2LZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 150V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 20mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 23nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 50A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 150W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 5
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPD200N15N3 G

Produktbeschreibung

Der Infineon IPD200N15N3 G ist 150 V OptiMOS erreicht eine Reduzierung des R DS(on) von 40 % und von 45 % in der Leistungszahl (FOM) im Vergleich zum nächstbesten Mitbewerber. Diese drastische Verbesserung eröffnet neue Möglichkeiten wie den Übergang von bleihaltigen auf SMD-Gehäuse oder den effektiven Austausch von zwei alten Teilen durch ein OptiMOS-Teil.Ausgezeichnetes Schaltvermögen Weltweit niedrigster R DS(on)

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