Infineon IPD053N08N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 150 W, 5-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 9.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 52nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 90A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPD053N08N3 G
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 90A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 9.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 150W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 2.41mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043769868
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