Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

118nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-90A

Maximale Betriebstemperatur

175°C