Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -80 A 88 W, 3-Pin PG-TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

6.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

63nC

Gehäusegröße

PG-TO-252

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-80A

Maximale Betriebstemperatur

175°C