Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W PG-TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- -30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 10.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 42nC
- Gehäusegröße
- PG-TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- -50A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 58W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- DIN IEC 68-1, RoHS
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPD
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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