Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 80 V / 129 A TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

129A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Produkt Typ

MOSFET