Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 126 A 195 W HDSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

65mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.82V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

51nC

Gehäusegröße

HDSOP

Höhe

2.35mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

126A