Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 30 A TO-252

Name: Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 30 A TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD220N06L3GATMA1

Produkt-Nr.: P-DRG8PJ-DRXNBZ

Technische Daten

Automobilstandard: Nein
Channel-Modus: N
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3.6mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 30A
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPD

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 30A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.6mΩ
Channel-Modus = N
Durchlassspannung Vf = 1.2V
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein

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