Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 4.3 A 53 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

500V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

950mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.83V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10.5nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.3A

Maximale Betriebstemperatur

150°C