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Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD95R450P7ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFVNT-DRRK6G

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
950V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
450mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
35nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
14A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die neueste 950V CoolMOS TM P7-Serie von Infineon setzt eine neue Marke in 950V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt.Best-in-Class FOM RDS(on) Eoss Reduzierter Qg, Ziss und KossBest-in-Class DPAK RDS(on) von 450 mΩ Klassenbeste VGS(th) von 3 V und kleinste VGS(th)-Variation von ±0,5 V Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM) Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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