Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 950V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 450mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 35nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 104W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPD
Produktbeschreibung
Die neueste 950V CoolMOS TM P7-Serie von Infineon setzt eine neue Marke in 950V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt.Best-in-Class FOM RDS(on) Eoss Reduzierter Qg, Ziss und KossBest-in-Class DPAK RDS(on) von 450 mΩ Klassenbeste VGS(th) von 3 V und kleinste VGS(th)-Variation von ±0,5 V Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM) Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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